FF600R12KE3NOSA1

FF600R12KE3NOSA1 Datasheet

FF600R12KE3

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FF600R12KE3NOSA1	FF600R12KE3NOSA1 (pdf)

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Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FF600R12KE3 Höchstzulässige Werte / maximum rated values vorläufige Daten preliminary data Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Tvj= 25°C Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Gesamt Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C Transistor Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current tp= 1ms Grenzlastintegral value VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM VISOL 1200 600 850 1200 2,8 +/- 20 600 1200 75 2,5 V A kW V A k kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 125°C, Gate Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 24mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C, Gateladung gate charge VGE= -15V...+15V VCE=...V Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 1200V Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current

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Technische Information / technical information

IGBT-Module IGBT-Modules

FF600R12KE3

Höchstzulässige Werte / maximum rated values
vorläufige Daten preliminary data

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage

Tvj= 25°C

Kollektor Dauergleichstrom DC collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current

Tc= 80°C Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C

Gesamt Verlustleistung total power dissipation

Tc= 25°C Transistor

Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage

Dauergleichstrom DC forward current

Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current
tp= 1ms

Grenzlastintegral value

VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C

Isolations Prüfspannung insulation test voltage

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

VCES IC, nom

IC ICRM Ptot VGES

IF IFRM VISOL
1200 600 850 1200 2,8 +/- 20 600 1200 75 2,5

V A kW V A k kV

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage

IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 600A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,

Gate Schwellenspannung gate threshold voltage

IC= 24mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,

Gateladung gate charge

VGE= -15V...+15V VCE=...V

Eingangskapazität input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V

Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current

VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 1200V

Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current

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Datasheet ID: FF600R12KE3NOSA1 638021